任务

名称

低功耗嵌入式RRAM存储技术

任务

依托单位

新一代集成电路技术集成攻关大平台

任务

负责人

刘琦

招聘

岗位

专任副研究员

招聘

人数

1

岗位

职责

1. 研究新型存储器件的微观物理机制、可靠性衰退机制，建立物理模型。

2. 通过建立各类新型存储器件模型，阐明其内在的工作机理，归纳影响器件性能的关键参数，并提出优化方案。

3. 通过系统仿真，对实验制备工艺的优化进行指导。

4. 建立新型存储器件的等效电路模型，研究阵列中寄生电容电阻等非理想特性导致的性能退化，并提出优化方向。

招聘

条件

1. 拥护党和国家的各项方针政策，遵守法律法规，品行端正；身体健康，心理素质良好；爱岗敬业，恪守学术规范和职业道德。

2. 具有计算机、微电子等相关专业博士学位。

3. 年龄一般在40周岁以下。

4. 须具有副高级专业技术职务任职资格或海外人员达到相应水平。如因重大创新任务特别需要，可放宽至具有中级专业技术职务任职资格（获聘后专业技术职务为中级）。

5. 具有新型存储器件的物理模型研究基础，能熟练使用Silvaco、Cadence、COMSOL等仿真软件者优先。拥有良好的英语表达能力和论文写作能力，能够开展科研国际合作等工作。

招聘

范围

校内、外

岗位

待遇

1. 与学校签订劳动合同，可申请租赁学校周转性教师公寓。

2. 提供有市场竞争力的薪资待遇和优越的科研环境。

3. 符合相关条件的，可按照学校规定申请子女入托入学。

应聘

程序

1. 应聘者发送个人简历（包括学习研究经历、发表论文列表、既往研究成果、未来研究计划等）至haoj@fudan.edu.cn。

2. 择优安排面试。

3. 拟聘用者报学校审批。

联系

方式

联系人：蒋老师

邮箱：haoj@fudan.edu.cn

办公电话：021-31242721

截止

日期

2025年1月6日

备注

订立聘用合同或者劳动合同以前有下列情形的，不予录用：

（1）受过刑事处罚、行政拘留处罚，或者因涉嫌违法正在接受有关部门调查，尚未作出结论的；

（2）受到党（团）纪、政纪处分，处分尚未解除，或者因涉嫌违纪正在接受有关单位调查，尚未作出结论的；

（3）违反高等学校教师职业行为规范的；

（4）在应聘过程中违背诚实信用或者社会公序良俗的；

（5）其他不符合聘用条件的情形。